Pensada para aplicaciones que requieran un alto rendimiento, como los centros de datos o la inteligencia artificial, esta solución de interfaz PCIe 5.0 dispone de tecnologías que pueden ser también licenciadas por separado.
Rambus da a conocer su nueva solución de interfaz compatible con el estándar de conectividad PCI Express en su versión 5.0, la cual a su vez guarda retrocompatibilidad para conectar dispositivos compatibles con las versiones 4.0, 3.0 y 2.0 del mismo estándar PCIe.
Además, esta nueva solución de Rambus incluye tanto un PHY como un controlador digital para facilitar la integración en el SoC (System-on-a-Chip), acelerando el lapso de tiempo necesario para su lanzamiento al mercado. Este controlador digital viene firmado por Northwest Logic, una compañía recientemente adquirida por Rambus
Con el PHY diseñado para un nodo de procesamiento avanzado de 7 nm, la solución integrada ofrece la mejor potencia, rendimiento y área gracias a la experiencia en el sector acumulada por Rambus.
Tanto el PHY como el controlador digital son ofrecidos como una solución integrada y completamente validada, aunque también pueden ser licenciados por separado y empleados con soluciones de terceras partes. La solución completa e integrada se apoya en el diseño, la integración y los servicios de soporte prestados por Rambus.
Ventajas de la solución de interfaz PCIe 5.0
Entre los beneficios que aporta esta solución de interfaz PCIe 5.0, tenemos un ancho de banda por línea de 32 GT/s, con un ancho de banda de 128 GB/s en configuración x16; soporte para la interconexión Compute Express Link; ecualización multi-tap avanzada de transceptor y receptor para compensar la pérdida de inserción de más de 36 dB; y soporta aplicaciones de rendimiento intensivo entre las cuales se cuentan las de inteligencia artificial, centros de datos, computación de alto rendimiento (HPC, por sus siglas en inglés), almacenamiento, y networking a velocidades de 400 GbE.
Y, finalmente, mencionar que esta nueva solución ya se encuentra disponible en todo el mundo en un avanzado proceso FinFET de 7 nanómetros.
