La línea nvNITRO de aceleradores de almacenamiento NVMe ofrece tarjetas PCIe de baja latencia basadas en Spin Torque MRAM.
Everspin Technologies ha anunciado su línea nvNITRO de aceleradores que ofrece tiempos de lectura y escritura extremadamente rápidos con ultra baja latencia.
La compañía va a introducir inicialmente modelos con capacidades de 1 Gigabyte y 2 Gigabyte (GB) de Spin Torque MRAM, basados en su ST-MRAM DDR3 de 256 Mb. En un futuro cercano estarán disponibles versiones de 4 a 16 GB con ST-MRAM DDR4 de 1 GB.
Las unidades nvNITRO ES1GB y ES2GB operan con a 1.500.000 IOPS con latencia de extremo a extremo (end-to-end) de 6 ms. Se suministran en una tarjeta PCIe half-height, half-length (HHHL) con dos modos de acceso: NVMe SSD y memory mapped IO (MMIO). Por lo tanto, los diseñadores de sistemas de almacenamiento enterprise ahora se benefician de mayores velocidades de memoria en un formato y protocolo de almacenamiento.
El uso de ST-MRAM de Everspin implica que los datos se encuentran continuamente y “a prueba de fallos de alimentación” sin necesidad de supercondensadores o backup de batería, ahorrando un espacio crítico en los racks (bastidores).
La resistencia de largo ciclo de ST-MRAM también permite escrituras uniformes ilimitadas cada día con el objetivo de minimizar la presencia de algoritmos complejos (wear leveling) usados en drives basados en Flash NAND. No existe degradación en el rendimiento de lectura / escritura conforme avanza el tiempo.
Usos para los aceleradores de almacenamiento
La combinación de estas prestaciones extremas y la baja latencia satisface las necesidades de las aplicaciones más demandadas, como bases de datos y transacciones financieras on-line.
Además, la interfaz NVMe en los aceleradores de almacenamiento facilita la incorporación de capacidades en las redes de almacenamiento y los servidores existentes, sin necesidad de drivers especiales ni cambios de sistema operativo.
